Tecnología de procesamiento de semiconductores de fosfuro de indio (InP)

Oct 21, 2025

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Tecnología de procesamiento de semiconductores de fosfuro de indio (InP)​

​Tabla de contenido​

Introducción

Requisitos de solicitud

Especificaciones del sistema

Flujo de procesamiento

Caso del cliente

​

​Requisitos de solicitud​
El procesamiento de obleas InP debe alcanzar los siguientes objetivos:

Rugosidad de la superficie: post-pulido Ra menor o igual a 1 nm

Variación de espesor total (TTV): Oblea final TTV menor o igual a 2 µm

Control de espesor: Espesor objetivo 150 µm (sujeto a los requisitos del cliente)

Planicidad de los bordes: Compense la deformación de los bordes durante la etapa de pulido utilizando una placa de pulido convexa.

​Especificaciones del sistema​
El sistema de pulido y esmerilado de precisión HSM proporciona una solución de proceso-completa.

​Flujo de procesamiento​

​Preparación de molienda​

Utilice un medidor de prueba de planitud para calibrar la convexidad de la placa de pulido de vidrio (utilizada para compensar los efectos del pulido de los bordes).

Cargue la oblea InP en el dispositivo dedicado (ASJ). Realice una molienda en dos-etapas utilizando una suspensión de alúmina:

​Etapa 1:​​ Elimina el daño por corte, reduciendo la rugosidad a 250-350 nm.

​Etapa 2:​​ Mejorar la planitud, logrando una rugosidad de 200-350 nm y TTV Menor o igual a 3 µm.

​Preparación para el pulido​

Reemplace la placa de pulido con una almohadilla de pulido y cambie el abrasivo a una lechada de pulido especializada de HSM.

Controle los parámetros clave a través de la interfaz gráfica:

Velocidad del plato de pulido: menor o igual a 100 rpm

Caudal de lodo: monitorizado mediante un{0}}sistema de control de alimentación por goteo en tiempo real (reduce el desperdicio)

Carga de presión: ajustada dinámicamente según los requisitos de espesor.

​Objetivo:​​ Elimina el daño sub-superficial y logra una superficie atómicamente lisa (Ra menor o igual a 1 nm).

​Resultados​
Las obleas InP de 2-pulgadas procesadas por el sistema HSM-LP lograron el siguiente rendimiento:

​Caso del cliente​
Un cliente utilizó el sistema HSM-LP para procesar obleas InP de 2 pulgadas (50 mm). El proceso y resultados son los siguientes:

​Molienda en dos-etapas:​​

Convexidad de la platina de lapeado calibrada según la curvatura objetivo (para contrarrestar la deformación de los bordes).

El material se eliminó paso a paso con suspensión de alúmina, TTV estabilizado a 3 µm.

​Pulido:​​

Caudal de lechada de pulido fijado en 50 ml/min, velocidad del plato a 80 rpm.

La rugosidad de la superficie se redujo de 350 nm a 1 nm (verificada por el perfilómetro Dektak).

​Métricas finales:​​

Espesor: 150 ± 0,5 µm

Planitud: TTV Menor o igual a 1 µm

Integridad del borde: sin astillas.

​Validación Técnica​
Esquema: morfología de la superficie de la oblea InP después del procesamiento por el sistema HSM-LP.

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​Notas:​​

Equipo de medición: Interferómetro de luz blanca Bruker ContourGT

Rendimiento total-del proceso: mayor o igual al 98 % (tamaño de lote de 80 obleas)

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